美韩四重利空连环引爆：央行利率决议将近、英伟达CDS飙升、中国双喜，美韩半导体板块遭遇集中抛售

火星财经消息，7 月 28 日，昨夜至今，全球半导体交易相关的「大利空」消息接连出现，美股半导体板块已率先承压，英伟达收跌约 5%，费城半导体指数跌 2.23%，纳指小幅收跌。 进入亚洲交易时段，韩国、日本及港股相关 AI 硬件资产继续补跌。韩国 KOSPI 指数盘中跌超 10% 并两度触发熔断机制，权重股 SK 海力士、三星电子大幅下挫；港股市场相关杠杆产品跌幅进一步放大，南方两倍做多海力士 ETF、两倍做多三星电子 ETF 双双跌超 20%。 引发本轮抛售的「大利空」有四条线索：一是中国半导体国产化进展引发竞争担忧，二是英伟达相关 AI 基建交易重新点燃「循环融资」疑虑，三是半导体板块此前涨幅过大，资金在高位集中获利了结，四是 Kimi K3 开源再次引发市场对美、韩巨头高额支出的质疑。 消息面上，据 The Information 报道，一家获中国国有资本支持的企业已开始量产自主研发的浸没式 DUV 光刻设备，计划 2026 年生产约 5 台、2027 年扩大至约 20 台。虽然这一规模与 ASML 去年交付 131 套浸没式 DUV 系统仍有明显差距，但国产 DUV 进入量产阶段，被市场视为中国芯片供应链自主化的重要突破。受此影响，ASML 周一大跌 5.80%，美国存储和设备链同步走弱，闪迪跌 11.02%，西部数据跌 4.21%。 不过，多家机构认为市场反应可能偏激。摩根大通指出，中国国产浸没式 DUV 设备仍处于小规模生产阶段，其性能、可靠性以及大规模量产能力仍待验证，距离真正替代 ASML 设备尚远。三星证券也认为，中国 AI 芯片和服务器 DRAM 短期内较难进入美国数据中心生态，对当前 AI 半导体周期的实际冲击有限。Citrini 分析师 Jukan 表示，相关报道披露的实质性增量有限，ASML 等半导体设备股的抛售反应过度。 另一重压力来自中国存储产业。长鑫科技上市首日大涨 466%，成为中国市值最大的 A 股上市公司，市场将其解读为中国存储产业自给化可能提速。对于 SK 海力士、三星电子、闪迪、西部数据等全球存储链龙头而言，资本更充足的中国竞争者意味着长期供给格局可能出现变化，相关旧有看空叙事在今日盘面被重新交易。