三星电子公布新一代光刻技术路线图，将在1nm节点大规模生产中部署高NA EUV

火星财经消息，8 月 11 日，三星电子技术专家 Park Chang-min 在 2026 年 NGL 会议上宣布，三星电子计划在其 1 纳米工艺中引入光刻技术的一项重大创新，该工艺最早可能在 2030 年进入量产。该公司打算在 1nm 节点大规模生产中部署高 NA EUV，这是一种下一代极紫外光刻技术，目前正专注于开发商业化所需的技术。 此外，三星电子还在加强高 NA EUV 的开发，这是 EUV 技术的下一代。该公司将 1nm（或 A10）工艺作为其在量产中全面部署的目标。「A」指的是埃（angstrom），1 埃等于 0.1nm。 根据这一路线图，三星电子预计将于 2030 年左右开始在量产中使用高 NA EUV。该公司已实现 2nm 工艺的商业化，并计划于 2029 年开始量产其 1.4nm SF1.4 工艺。据报道，它正准备在 2030 年开始量产 SF1.4+（1.4nm 工艺的增强版）以及其 1nm 工艺。