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马斯克通过SpaceX与特斯拉联合推进Terafab超级芯片工厂项目，选址得州退役燃煤电厂，首期投资168亿美元，核心是采用自由电子激光器（FEL）替代ASML传统EUV光源，构建集中式光刻光源基础设施，旨在打破ASML垄断、实现AI5/AI6芯片自主制造，并整合逻辑芯片、存储、封装与测试全流程，支撑特斯拉自动驾驶、xAI数据中心及StarMind太空AI卫星三大应用。
文章探讨马斯克关联的TeraFab可能采用自由电子激光器（FEL）技术替代现有EUV光刻光源，分析FEL在波长可调性、功率输出、能量效率等方面相较传统LPP光源的优势，同时指出其在半导体量产中面临设备体积大、系统复杂、工程化难度高等现实挑战，强调FEL更可能是面向6nm以下下一代光刻的潜在技术路径而非短期替代方案。
