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Power Integrations推出2200V商用PowiGaN器件，基于已验证的2300V物理击穿能力与cascode架构，突破横向GaN电压瓶颈，使其正式进入800V至1500V DC-DC主功率路径，开始挤压SiC在中高压（1200V–2200V）领域的应用空间，尤其面向AI数据中心1500V配电架构和高功率密度需求。
800V高压直流（HVDC）供电架构的器件瓶颈已被突破，台达、ST、Power Integrations、英诺赛科等八家厂商在OCP 2025同台展示可量产方案，GaN器件在1250V高压段实现性能超越SiC，推动AI数据中心供电系统从54V向800V升级；当前核心争议转向电压制式（800V vs ±400V）及国产器件在高压SiC领域的差距。
