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Power Integrations推出2200V商用PowiGaN器件，基于已验证的2300V物理击穿能力与cascode架构，突破横向GaN电压瓶颈，使其正式进入800V至1500V DC-DC主功率路径，开始挤压SiC在中高压（1200V–2200V）领域的应用空间，尤其面向AI数据中心1500V配电架构和高功率密度需求。
瑞银调研显示中国AI硬件链需求正从GPU向PCB、光互连、液冷、SiC基板等环节扩散，壁仞科技GPU规划至2028年，胜宏科技加码Rubin平台PCB产能，曦智科技推进光互连方案，蓝思科技布局光通信与液冷，天岳先进SiC订单饱和并实施选择性提价，但多数进展仍处目标指引阶段，受制程、封装及外部限制影响。
