扫描下载APP
其它方式登录
文章以长鑫科技IPO为切入点，警示其可能重演中石油上市即巅峰的周期性风险，指出存储行业固有3-4年供需周期、当前高估值透支未来业绩、产能扩张将导致利润不可持续，并强调监管救市旨在修复流动性而非托举泡沫，投资者需理性区分硬科技长期价值与短期投机泡沫。
长鑫科技即将登陆科创板，成为科创板史上最大IPO；华登高科管理合伙人彭桂娥博士五年前顶住压力重仓近9亿元投资长鑫，坚定支持国产DRAM产业发展，彰显长期主义投资理念与对关键创业者朱一明及其团队的信任。
2026年存储芯片价格大幅上涨，DRAM和NAND Flash合约价季度涨幅达10%-18%，受AI需求拉动及海外原厂产能转向HBM影响，传导至手机终端，OPPO、vivo、小米等品牌集体涨价，中端机型普涨300-800元，旗舰机型涨幅超千元，但涨价亦受研发、屏幕、传感器等多重成本上升及行业摆脱低价内卷战略驱动。
长鑫科技作为国内唯一高端存储芯片龙头登陆科创板，受益于AI驱动的DRAM需求爆发、国产替代加速及自身产能技术双轮扩张，正从国产追赶者迈向全球第四大DRAM原厂；其长期高度取决于全球DRAM景气周期延续性、技术迭代与产能爬坡进度，以及资本市场对国产核心科技资产的估值溢价能力。
生成式AI爆发推动DRAM与NAND存储器需求激增，现货价格暴涨近10倍，导致存储市场规模三年内扩张超10倍，远超逻辑芯片增速；其核心驱动力是AI推理运算量达传统搜索的1万至100万倍，引发云厂商资本开支飙升及AI数据中心对存储器的海量吞噬；但受制于历史硅周期规律和供给基础设施线性扩张瓶颈，此轮超常增长预计在2027–2028年迎来转折点。
文章分析生成式AI爆发引发DRAM和NAND存储器市场异常扩张的深层原因：用户行为从搜索转向AI提问导致单次运算量激增1万至100万倍，驱动超大规模云服务商巨额设备投资，AI数据中心大量吞噬存储资源，造成民用领域严重短缺与现货价格一年半内暴涨约10倍；同时指出该增长受制于历史硅周期（正增长难超5年）和供给基础设施的线性瓶颈，预计2027–2028年前后将见顶回落。
伯恩斯坦研报指出市场对存储行业长期供应协议（LTAs）过度悲观，新一代后端加权保证金机制在周期下行阶段具备实质托底能力；超大规模云厂商和AI基础设施客户履约能力强，显著提升LTA有效性；NAND需求因AI应用演进（如KV Cache溢出至NAND）而被重估，但亚洲与美国团队对其供需判断存在分歧。
伯恩斯坦报告测算AI数据中心算力扩张对半导体设备需求的影响，指出若2030年前每年新增50GW算力，2027–2029年全球晶圆厂设备（WFE）支出累计可达7360亿美元，其中DRAM和HBM等存储芯片产能扩张是主要驱动力，应用材料、泛林、科磊等设备厂商盈利弹性显著，但实际订单受电力、融资、交付能力等多重约束。
三星、SK海力士和美光三大内存厂商放弃自研CXL控制器，转向采购Fabless芯片方案，以避免高价一体化CXL模块冲击其核心DRAM（DIMM）销量，规避自我蚕食风险；此举是商业策略调整而非技术退缩，体现设计与制造的专业分工优化。
摩根士丹利认为近期美国内存股回调是健康重置而非周期拐点，预计2026年三季度DRAM价格仍可能环比涨20%-30%，主因AI数据中心需求持续推高内存供需紧张，价格韧性来自AI资本开支、供给爬坡节奏及长期协议执行情况。
长鑫科技上市扩产不会冲击兆易创新的利基DRAM业务，二者通过顶层设计形成分工共生的‘虚拟IDM’模式：长鑫专注服务器级大容量DRAM制造，兆易聚焦车载、工控、IoT等中小容量定制化市场，受长期代工协议与股权绑定约束，产能协同、赛道错位、治理统一，长鑫扩产实为兆易解除产能瓶颈、降低成本、增强技术竞争力的核心利好。
美银将三季度全球DRAM平均销售价格（ASP）涨幅上调至21%，主因服务器DRAM合同价涨20%-30%、非LTA订单占比高（60%-70%）及现货连续八周上涨；三星、SK海力士、美光直接受益，但高价可能抑制下游补库存意愿；AI服务器资本开支和供应链补库数据支撑涨价逻辑，但终端需求尚未全面复苏，价格持续性存疑。
马云三年前回国押注AI战略，阿里通过投资长鑫科技（科创板最大IPO，募资666亿）等AI基础设施企业，完成从消费互联网向AI基础设施公司的转型；长鑫作为国内唯一DRAM量产厂商，与平头哥芯片、阿里云构成AI算力闭环，阿里持股近5%预计浮盈超千亿。
长鑫科技作为国产DRAM龙头，2025年实现扭亏为盈（净利润71.44亿元），主要受益于AI驱动的DRAM需求爆发、产品涨价及成本下降、DDR5等高端产品放量；但行业强周期性仍存，面临良率、单位成本、HBM量产等挑战，上市募资295亿元用于技术升级与扩产，旨在缩小与三星、美光等国际巨头的差距。
长鑫科技启动申购，发行价8.66元，预计募资579.19亿元，发行后市值约5792亿元；市场给予308.92倍高市盈率，预期上市后市值或达3万亿至4万亿元，核心驱动逻辑为国产DRAM IDM稀缺性、AI带动的HBM需求及国产替代战略地位，但技术代差与产能爬坡进度仍存挑战。
