扫描下载APP
其它方式登录
DRAM价格暴涨与供给短缺正严重制约AI算力部署，服务器内存成本占比升至75%，推动AMD、苹果、Marvell、闪迪等公司探索分层内存架构：AMD用AI预测调度冷数据至NAND，苹果将端侧大模型存于闪存按需加载，Marvell通过CXL硬件压缩提升DRAM等效容量，闪迪联合SK海力士开发GPU直连的高带宽闪存HBF。
摩根大通研报显示AI基础设施需求持续强劲：LLM token用量6月环比激增70%，GPU租赁价格连续七个月上涨，DRAM现货价同比暴涨740%；美国模型占据85%消费金额，高端算力稀缺性缓解但整体需求未见顶，存储周期呈现NAND松动、DRAM坚挺的分化态势。
高盛报告指出2026年三季度DRAM价格涨幅（13%-18%）强于NAND（10%-15%），服务器与PC端DRAM持续涨价且DDR5溢价扩大，显示供需偏紧；NAND内部分化明显，企业级SSD强劲而消费端eMMC/UFS温和，拖累整体涨价弹性；三星存储业务受益但NAND盈利修复不及预期。
全球三大DRAM制造商三星、SK海力士和美光正加速扩产，未来数年合计投资超1.5万亿美元，以应对AI驱动的HBM高带宽内存短缺及传统内存价格持续上涨。供应端受晶圆厂建设周期、设备交付、人才与基础设施等结构性约束，短期难以缓解紧张局面，内存正从通用大宗商品转向需战略锁定的AI关键资源。
AI模型价格大幅下降（三年降千倍），但企业AI总支出激增320%，因应用数量、单应用深度和模型复杂度三重叠加导致token消耗指数级增长，进而推高对GPU、DRAM等硬件需求，半导体与存储芯片价格持续飙升，AI基础设施资本支出预计2026—2031年达7.6万亿美元。
伯恩斯坦研报预测全球半导体设备市场2026年WFE将增长21.4%，主要由DRAM和NAND资本开支驱动；美国AMAT、LRCX、KLAC与中国北方华创、中微公司、拓荆科技六家龙头均被给予优于大市评级，凸显技术壁垒与国产替代双主线共振。
AI服务器对高带宽内存（HBM）需求激增，导致三星、SK海力士、美光三大存储厂商优先供应数据中心，挤压消费电子产能，引发内存和硬盘涨价，使PC、手机、游戏机等终端产品成本上升，标志着存储行业从周期性价格战转向AI驱动的产能与定价权争夺。
全球三大DRAM厂商三星、SK海力士和美光正大规模扩产，总投资超1.5万亿美元，以应对AI驱动的HBM等内存需求激增及长期供应紧张。HBM因定制化、长协锁产和高确定性需求，打破传统存储周期规律，成为战略资源。苹果等终端巨头因议价过猛反遭短缺反噬，买方主导权减弱，内存正从大宗商品转向战略资产。
全球AI服务器爆发式增长导致DRAM高端产能被集中抢占，引发消费电子、云计算、汽车三大领域头部企业同步采取长期供货协议、直签原厂、预付保证金等方式战略性锁定存储芯片，推动存储从大宗商品转变为关键战略资源。
高盛上调三星2027年HBM价格增速预期至44%，主要基于传统DRAM（DDR5、DDR4）现货价格大幅上涨及AI服务器需求强劲，带动存储厂商议价能力提升；同时韩国DRAM出口激增、台湾厂商收入暴增等数据支撑涨价逻辑，但手机等消费电子终端需求疲软构成潜在风险。
长鑫科技IPO在即，带动存储产业链行情升温，但当前设备材料等扩产链已处高位，HBM封装环节尚处低位；行业盈利主要来自涨价而非份额突破，长期资金正高位减持，短线热钱接力，板块进入业绩兑现与分化阶段。
韩国政府联合三星、SK集团推出3.1万亿美元AI半导体投资计划，聚焦内存产能扩张，目标五年内DRAM/HBM产能翻倍，龙仁集群投产大幅提前；投资主要流向晶圆制造设备、电力与基础设施；市场担忧长期扩产或压制高利润，叠加反垄断诉讼风险，内存周期反转压力上升。
美银证券指出存储芯片行业正进入长期超级周期，受AI驱动的HBM等高端需求激增、LTA协议锁定高ASP、产能扩张受限、旧厂升级困难及自由现金流改善五大结构性因素支撑，预计高盈利可持续至2027年甚至2030年，但NAND面临增速放缓风险，行业标的分化加剧。
美光因AI数据中心爆发性需求导致存储芯片严重短缺，股价月涨236%，市值一度超越Meta和特斯拉；Q3营收翻四倍至414.5亿美元，利润暴增14倍；其通过与Nvidia、Anthropic等签署长期供应协议，试图打破存储行业固有周期性，被华尔街视为下一个英伟达。
应用材料公司（AMAT）凭借在DRAM和先进封装设备领域的全面布局，成为AI内存升级核心受益者；AI服务器对高带宽内存（HBM）、3D DRAM及混合键合等复杂工艺的需求，推动设备需求从单点向系统性材料工程扩展，其DRAM市场份额已升至全球第一。
