CFET
CFET,光互连,DRAM
芯片，转折点

文章聚焦人工智能时代芯片技术的系统级创新趋势，强调突破不再依赖单一晶体管微缩，而需协同优化计算、内存与互连，并推动CFET、背面供电、光互连（COUPE）、3D混合键合及HBM等先进封装与制程技术发展；同时指出DRAM供不应求现状及摩尔定律在PPA维度的持续演进。

半导体行业观察
imec,CFET,异构大规模集成
0.3nm芯片路线图，imec最新发布

imec发布半导体工艺路线图，预测至2038年实现0.3纳米（A3）制程，指出传统晶体管微缩在2030年前后趋近极限，后续密度提升将依赖CFET垂直堆叠、背面供电网络（BSPDN）、高数值孔径EUV光刻及异构大规模集成（HLSI）等新技术，重新定义摩尔定律为逻辑单元面积缩小与系统级协同优化。

半导体行业观察
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