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高盛研报显示，2026年三季度存储器价格整体上涨，PC DRAM涨幅预期上调至18%-23%，服务器DRAM维持坚挺，移动DRAM因库存压力被下调，NAND涨幅基本符合预期；涨价主因是厂商将产能持续向服务器DRAM和HBM倾斜，供给结构性收紧，三星电子和SK海力士获维持买入评级。
AI发展引发存储芯片全球性短缺，DRAM和NAND价格暴涨，带动华强北二手交易暴利、网吧客流回升及A股存储板块业绩飙升；阿里、腾讯、字节等AI巨头大幅增加资本开支抢购存储，但尚未实现商业化盈利，实际由消费者和云厂商为涨价买单，上游芯片厂商成为最大受益者。
AI从训练转向大规模推理后，存储需求重心由HBM向下延伸至系统DRAM、NAND、SSD及HDD等层级；KV Cache容量成为推理规模瓶颈，RAG和Agent进一步推高对传统内存与大容量存储的需求；CXL、Storage Next、CMX等新架构试图填补HBM与SSD间的性能-成本空白，但商业化面临散热、良率与生态兼容等挑战。
长鑫科技2026年上半年营收1503.1亿元，净利润776.1亿元，主要受益于AI算力爆发带动DRAM供不应求、价格大涨，叠加国产替代加速进入主流终端供应链；其高毛利（84.84%）源于抓住AI服务器对通用DRAM的短期缺口，但面临HBM技术代差、光刻机受限及行业扩产带来的周期性回归风险。
AI基础设施需求呈现分化：大模型token支出月增7%但价格持续下降，B200 GPU租赁价首降反映新产能释放，DRAM现货价连续五个月上涨、NAND结束四连跌，显示存储供需趋紧；供给端结构性变化正重塑算力与存储定价逻辑。
高盛研报指出，中国半导体IC数量自给率已达70%，但价值自给率仍受光刻设备制约；2030年资本开支预计达820亿美元，AI芯片与DRAM市场高速增长，长鑫存储获买入评级；先进制程供需缺口显著收窄，设备国产替代加速，产业正从量增转向质升。
高盛给予长鑫科技买入评级及129元目标价，核心逻辑是AI驱动下DRAM需求激增、产能四年翻倍（2026年27万片增至2030年66.5万片）、2028年有望覆盖中国约一半DRAM需求，并通过HBM产品结构升级推动毛利率从41%升至82%，但该预测依赖资本开支、良率爬坡、客户验证及价格维持高位等多重乐观假设。
高盛大幅上调2026–2028年晶圆前端设备（WFE）支出预测至1500亿、2180亿、2810亿美元，主因DRAM（尤其是HBM4驱动）和先进制程代工（如台积电N2节点）资本开支激增，Terafab等新变量亦贡献增量，设备需求由单一结构转向存储与逻辑多元驱动。
内存价格在一年内暴涨约500%，DDR5大容量套件涨幅达485%至10倍，主因是AI算力需求激增导致云厂商提前锁定DRAM产能，叠加HBM高利润产线挤占DDR晶圆产能，消费级内存供给严重不足；华强北及全球市场同步飙升，整机成本压力陡增，二十年降价红利被快速抹平。
在美股VIX恐慌指数持续走低、市场波动率处于低位的背景下，存储芯片板块逆势走强，成为当前唯一持续上涨的主线。驱动因素包括DRAM与NAND价格加速上涨、原厂长期协议锁定供给、AI数据中心对高密度存储（如QLC）需求激增；但面临中国厂商低端渗透、周期反转风险及AI需求集中带来的结构性隐患。
长鑫科技登陆科创板，市值达4万亿元，腾讯早期投入20亿元获约500亿元账面浮盈；阿里系两轮投入76亿元，浮盈约1700亿元；合肥国资、国家大基金二期等深度参与，碧桂园早年退出错失超400亿元收益，凸显半导体国产化进程中资本布局的战略性与周期性博弈。
SK集团会长崔泰源宣布未来十年投资7200亿美元扩产AI内存，强调AI驱动的结构性需求变革使存储行业周期拉长，HBM与DRAM成核心增长点，当前面临严重芯片短缺与‘芯片通胀’，需协同英伟达、台积电及全球生态共建产能。
存储芯片行业正经历结构性变革，长期协议（LTAs）取代现货定价成为主流，三星、SK海力士、美光等厂商大幅提高LTA覆盖率，带来价格双向保护与盈利稳定性提升；DRAM和NAND合约价涨幅趋缓但周期未结束，库存回升属LTA驱动的主动建库而非被动囤积；AI基础设施资本开支扩张正重塑半导体融资逻辑。
伯恩斯坦大幅上调全球晶圆前端设备（WFE）支出预测，2026–2028年两年累计增长75%，主要驱动力为DRAM和逻辑芯片领域的资本开支扩张；除中国外的全球其他地区贡献最大增量，中国WFE需求展现超预期韧性，2028年跃升至1010亿美元；设备供应商如阿斯麦、应用材料、北方华创等获重点推荐。
摩根大通报告指出，受AI服务器需求激增驱动，全球内存（尤其是HBM和DRAM）持续短缺，预计延续至2028年；内存占云服务商硬件资本开支比例将从不足10%升至2027年的49%，2028年达60%，成本压力显著上升；新增晶圆产能受限于建设周期与HBM对产能的挤占，短期难以填补供需缺口。
